[发明专利]光伏装置有效
| 申请号： | 201280029337.4 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103608933A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 大钟章义;角村泰史 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光伏装置，其具备：半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面或背面的i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）上的p型非晶质层（12p）或n型非晶质层（16n），i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种光伏装置，其特征在于，包括：第一导电型的结晶类半导体基板；形成在所述半导体基板的第一表面上的本征的第一非晶质半导体层；和形成在所述第一非晶质半导体层上的、第一导电型或与第一导电型相反的导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层中，具有从与所述半导体基板的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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