[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280029271.9 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103635999B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 山下裕贵;油井隆;川端毅;萩原清己;横山贤司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，在具有电极(20a)以及(20b)的芯片(6)的外缘设置扩展部(1)而成的扩展型半导体芯片(31)上，搭载具有电极(24)的芯片(5)。电极(20a)和电极(24)通过导电构件(8)而电连接。从芯片(6)上的导电构件(8)的配置区域的外侧遍及到扩展部(，1)上而形成有重新布线构造(2)。在扩展部(1)上形成有经由重新布线构造(2)与电极(20b)电连接的连接端子(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：基台，其具有第1电极；第1半导体芯片，其配置在所述基台上的形成有所述第1电极的面上，并且具有第2电极；扩展部，其设置为从所述第1半导体芯片的外缘向外侧方延伸，并且与所述第1半导体芯片一起构成扩展型半导体芯片；第2半导体芯片，其具有第3电极，并且配置在所述扩展型半导体芯片上，使得形成有所述第3电极的面与所述第1半导体芯片中的形成有所述第2电极的面相对置；第1导电构件，其将所述第2电极与所述第3电极相连接；重新布线构造，其从所述第1半导体芯片上的所述第1导电构件的配置区域的外侧遍及到所述扩展部上而形成；连接端子，其设置在所述扩展部上，并且经由所述重新布线构造与所述第2电极中没有与所述第1导电构件连接的电极相连接；和第2导电构件，其将所述第1电极与所述连接端子相连接，所述重新布线构造具有将所述第2电极与所述连接端子相连接的重新布线、和覆盖所述重新布线的层间膜，所述层间膜包括第1层和第2层，所述重新布线设置在所述第1层与所述第2层之间，所述重新布线构造中包括的所述重新布线、所述第1层以及所述第2层，至少避开所述第1导电构件的配置区域而配置，由此，所述重新布线构造在所述第1导电构件的配置区域具有开口。
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