[发明专利]确定填隙氧浓度的方法有效
| 申请号： | 201280028979.2 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103620394A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | J.维尔曼;S.杜博伊斯;N.恩加尔波特 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | G01N25/00 | 分类号： | G01N25/00;G01N27/04;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于确定由p掺杂的半导体材料制造的样品的填隙氧浓度的方法，该方法包括：样品的为了形成热施体的热处理步骤(F1)，确定获得补偿的半导体材料所需的热处理时间(t)(F1)，从电荷载流子浓度(p0)确定补偿的半导体材料制成的样品中的热施体浓度(NTDD)(F2)，以及从热施体浓度(NTDD)和热处理的时间(t)确定氧浓度(Co)(F3)。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 填隙 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种用于确定由IV族p型半导体材料制作的样品的填隙氧浓度(Co)的方法，该样品包括受体型掺杂剂杂质且具有初始电荷载流子浓度(p0)和初始电阻系数(ρo)，该方法包括如下步骤：a)使该样品经受热处理(F1)，以形成热施体(TDD)，该热施体形成施体型掺杂剂杂质，其特征在于，该方法包括如下步骤：b)确定获得杂质补偿的半导体材料所需的该热处理的持续时间(t)(F1)；c)从该电荷载流子浓度(p、p0)确定补偿的半导体材料的样品的该热施体浓度(NTDD)(F2)；以及d)从该热施体浓度(NTDD)和该热处理的持续时间(t)确定该填隙氧浓度(Co)(F3)。
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