[发明专利]用于使用激光划线和等离子体蚀刻的器件裁切的原位沉积掩模层

摘要

藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水溶性的掩模材料。以飞秒激光划线工艺图案化所述掩模的至少某些部分，以提供具有沟槽的经图案化掩模。图案化暴露出介于IC之间的基板区域，在所述区域中，所述基板受到等离子体蚀刻以裁切IC，且水溶性的材料层被洗掉。

主权项

一种分割基板的方法，所述基板包括多个IC，所述方法包括：将掩模形成于所述基板上，所述掩模覆盖并保护所述IC；以激光划线工艺图案化所述掩模厚度的至少一部分，以提供带有多个沟槽的经图案化掩模，暴露出介于所述IC之间的所述基板的区域；以及通过所述经图案化掩模中的所述沟槽，等离子体蚀刻所述基板，以裁切所述IC，其中形成该遮罩的步骤进一步包含下列步骤：将一聚合物等离子体沉积于该基板上。