[发明专利]光电转换元件无效
| 申请号： | 201280028599.9 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103597603A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林慎也;中山庆祐;后藤正直 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石能源株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光电转换元件（10）包括防反射层（20）、光电转换层（30）、透明薄膜层（40）、光反射层（50）、和电介质层（60）。防反射层（20）设置在光电转换层（30）的受光面侧。透明薄膜层（40）设置在光电转换层（30）的背面侧。光反射层（50）层叠在透明薄膜层（40）上，包括设置了从一个主表面贯通到另一个主表面的贯通部（54）的金属膜（52）。电介质层（60）以覆盖光反射层（50）的方式层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其特征在于，具备：光电转换层，以及在所述光电转换层的一个主表面侧设置的包含金属膜的光反射层；在所述金属膜的多个位置设置了从该膜一个主表面贯通到另一个主表面的贯通部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉坤日矿日石能源株式会社，未经吉坤日矿日石能源株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280028599.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
