[发明专利]具有生长于硅基板上的低缺陷N型层的发光二极管无效
| 申请号： | 201280028501.X | 申请日： | 2012-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103636007A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 种竖直的基于GaN的蓝光LED具有n型GaN层，n型GaN层直接生长于低电阻层(LRL)上，而低电阻层(LRL)生长于硅基板之上。在一个范例中，LRL为具有厚度小于300nm的周期的低方块电阻GaN/AlGaN超晶格。在超晶格上生长n型GaN层减少了n型层内的晶格缺陷密度。在形成LED的外延层之后，将导电载体晶圆接合至所述结构。然后去除硅基板。加入电极，并且切割结构以形成完成的LED装置。在一些范例中，一些或全部LRL保持在完成的LED装置内，使得LRL也起到电流扩展功能。在另一范例中，LRL被完整去除，使得完成的LED装置内没有任何LRL。 | ||
| 搜索关键词： | 有生 长于 硅基板上 缺陷 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种制造发光二极管(LED)装置的方法，包括：(a)在硅基板之上形成超晶格结构，其中所述超晶格结构包括多个周期，并且其中所述超晶格结构的毎一周期包括氮化镓铝子层以及氮化镓子层；(b)直接在所述超晶格结构之上形成n型层；(c)在所述n型层之上形成有源层，其中所述有源层包括一定量的铟；(d)在所述有源层之上形成p型层，使得所述硅基板、超晶格结构、所述n型层、所述有源层以及所述p型层形成第一结构；(e)将导电载体接合至所述第一结构，从而形成第二结构；以及(f)从所述第二结构去除所述硅基板，从而形成第三结构。
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