[发明专利]发荧光半导体纳米晶体在审
| 申请号： | 201280028024.7 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103765215A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | E.韦尔奇;D.布相;M.伊纳蒂乌斯;L.格林菲尔德 | 申请（专利权）人： | 生命科技公司 |
| 主分类号： | G01N33/569 | 分类号： | G01N33/569 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;万雪松 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供发荧光半导体纳米晶体及其组合物，包括试剂盒、测定体系以及它们的制备和使用方法。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 半导体 纳米 晶体 | ||
【主权项】：
一种发荧光半导体纳米晶体，包括：荧光半导体纳米晶体；和与所述半导体纳米晶体缔合的淬灭基团，其中所述荧光半导体纳米晶体在不存在所述淬灭基团下具有初始荧光强度(F0)，所述发荧光半导体纳米晶体具有经淬灭的荧光强度(FQ)，其中FQ／F0小于约1.0。
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