[发明专利]用于控制抗蚀剂特征中的临界尺寸和粗糙度的方法和系统有效
| 申请号： | 201280027207.7 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103620730A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;约瑟·欧尔森;克里斯多夫·J·里维特;派崔克·M·马汀 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 抗蚀剂 特征 中的 临界 尺寸 粗糙 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种处理衬底上的光致抗蚀剂凸纹特征的方法，所述光致抗蚀剂凸纹特征具有初始线粗糙度和初始临界尺寸，所述方法包括：在第一暴露中以第一角范围且以第一离子剂量率朝向所述光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，所述第一离子剂量率用以将所述初始线粗糙度减小到第二线粗糙度；以及在第二暴露中以大于所述第一离子剂量率的第二离子剂量率朝向所述光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，所述第二离子剂量率用以使所述光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280027207.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
