[发明专利]芯片上慢波穿透硅过孔共面波导结构、制造方法和设计结构有效
| 申请号： | 201280026457.9 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103562761A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | E.米娜;王国安;W.伍兹 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中提供了芯片上高性能慢波共面波导穿透硅过孔结构、用于集成电路的制造方法和设计结构。该方法包括形成在基板(10)中的至少一个接地平面层(25)以及形成在基板中的位于与至少一个接地平面层相同的平面层中的信号层(30)。该方法还包括在至少一个接地平面层和信号层之间形成至少一个金属填充的穿透硅过孔(35)。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 上慢波 穿透 孔共面 波导 结构 制造 方法 设计 | ||
【主权项】：
一种形成共面波导结构的方法，包括：形成在基板中的至少一个接地平面层；形成在所述基板中的位于与所述至少一个接地平面层相同的平面层中的信号层；以及形成在所述至少一个接地平面层和所述信号层之间的至少一个金属填充的穿透硅过孔。
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