[发明专利]包含基于铋的氧化物的厚膜浆料及其在半导体器件制造中的用途无效
| 申请号： | 201280024993.5 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103563010A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | K·W·杭;Y·王 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01B1/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及导电厚膜浆料组合物，其包含银和无铅的基于铋的氧化物，两者均分散于有机介质中。本发明还涉及由所述浆料组合物形成的电极以及半导体器件，并且具体地涉及包括此类电极的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 基于 氧化物 浆料 及其 半导体器件 制造 中的 用途 | ||
【主权项】：
厚膜浆料组合物，包含：(a)35‑55重量%的银；(b)0.5‑5重量%的无铅的基于铋的氧化物；和(c)有机介质；其中所述银和所述基于铋的氧化物分散于所述有机介质中，并且其中所述重量%以所述厚膜浆料组合物的总重量计，所述基于铋的氧化物包含以所述基于铋的氧化物的总重量计62‑74重量%的Bi2O3、6‑15重量%的ZnO、5‑17重量%的B2O3、0.1‑8重量%的Al2O3、1.5‑12重量%的SiO2和0‑1重量%的CaO。
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