[发明专利]陷阱减少的具有高铟低铝量子阱和高铝低铟势垒层的激光器在审
| 申请号： | 201280023971.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103563190A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·H·约翰逊;吉米·艾伦·泰特姆;安得烈·N·麦金尼斯;杰罗姆·K·韦德;卢克·A·格雷厄姆 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种VCSEL，可以包括：一个或多个具有(Al)InGaAs的量子阱；两个或更多个结合所述一个或多个量子阱层的、具有Al(In)GaAs的量子阱势垒；和一个或多个过渡单层，所述过渡单层沉积在各量子阱层和量子阱势垒之间，其中所述量子阱、势垒和过渡单层基本上没有陷阱。所述一个或多个过渡单层包括GaP、GaAs、GaAsP和/或GaAsPSb。或者所述VCSEL可以包括两个或更多个AlInGaAs的过渡单层，其势垒侧单层具有低In高Al，相比之下，量子阱侧单层具有高In低Al。 | ||
| 搜索关键词： | 陷阱 减少 具有 高铟低铝 量子 高铝低铟势垒层 激光器 | ||
【主权项】：
一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，包括：一个或多个具有(Al)InGaAs的量子阱；两个或更多个结合所述一个或多个量子阱层的、具有Al(In)GaAs的量子阱势垒；和一个或多个过渡单层，所述过渡单层沉积在各量子阱层和量子阱势垒之间，其中所述量子阱、势垒和过渡单层基本上没有陷阱。
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