[发明专利]In2O3-SnO2-ZnO系溅射靶有效

专利信息
申请号: 201280022388.4 申请日: 2012-05-07
公开(公告)号: CN103534382A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 糸濑将之;西村麻美;砂川美佐;笠见雅司;矢野公规 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;H01B5/14;H01L21/363
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种溅射靶,其包含氧化物,所述氧化物含有铟元素(In)、锡元素(Sn)及锌元素(Zn)、和选自下述的X组中的1种以上的元素X,各元素的原子比满足下述式(1)~(4)。X组:Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm;0.10≤In/(In+Sn+Zn)≤0.85  (1);0.01≤Sn/(In+Sn+Zn)≤0.40  (2);0.10≤Zn/(In+Sn+Zn)≤0.70  (3);0.70≤In/(In+X)≤0.99   (4)。(式中,In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。)
搜索关键词: in sub sno zno 溅射
【主权项】:
一种溅射靶,其包含氧化物,所述氧化物含有铟元素(In)、锡元素(Sn)及锌元素(Zn)、和选自下述的X组中的1种以上的元素X,各元素的原子比满足下述式(1)~(4);X组:Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm0.10≤In/(In+Sn+Zn)≤0.85  (1)0.01≤Sn/(In+Sn+Zn)≤0.40  (2)0.10≤Zn/(In+Sn+Zn)≤0.70  (3)0.70≤In/(In+X)≤0.99       (4)式中,In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社,未经出光兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280022388.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top