[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 201280021088.4 申请日: 2012-02-07
公开(公告)号: CN103503146A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 和田圭司;增田健良;穗永美纱子;日吉透 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01L29/12 分类号: H01L29/12;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种MOSFET设置有:碳化硅衬底(11);漂移层(12),其具有相对于{0001}面具有50°或更大且65°或更小的偏离角的主面(12A),并且该漂移层(12)由碳化硅制成;以及栅极氧化物膜(21),其形成在漂移层(12)的主面(12A)上并与该主面接触。漂移层(12)包括形成为包括接触栅极氧化物膜(21)的区域(14A)的p型体区(14)。p型体区(14)的杂质密度为5×1016cm-3或更大。在位于p型体区(14)和碳化硅衬底(11)之间的漂移层(12)中的区域中,通过彼此对准来形成具有p导电类型的多个p型区(13),所述p型区在垂直于漂移层(12)的厚度方向的方向上彼此隔开。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件(1,3),包括:衬底(11,31),所述衬底(11,31)由碳化硅制成;半导体层(12,32),所述半导体层(12,32)由第一导电类型的碳化硅制成,所述半导体层(12,32)形成在所述衬底(11,31)上并包括相对于{0001}面具有50°或更大且65°或更小的偏离角的表面(14A,34A);以及绝缘膜(21,41),所述绝缘膜(21,41)形成在所述半导体层(12,32)的所述表面(14A,34A)上并与所述表面(14A,34A)接触,所述半导体层(12,32)包括与所述第一导电类型不同的第二导电类型的体区(14,34),所述体区(14,34)被形成为包括与所述绝缘膜(21,41)接触的区域,所述体区(14,34)具有5×1016cm‑3或更大的杂质密度,并且在垂直于所述半导体层(12,32)的厚度方向的方向上彼此隔开定位的所述第二导电类型的多个区域(13,33)被布置在位于所述体区(14,34)和所述衬底(11,31)之间的所述半导体层(12,32)中的区域中。
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