[发明专利]碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法无效
| 申请号： | 201280019349.9 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103476975A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木信;西口太郎 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有高度均匀的特性的碳化硅衬底和碳化硅锭以及制造所述碳化硅衬底和所述碳化硅锭的方法。制造碳化硅锭的方法包括：准备底部衬底的准备步骤(S10)，所述底部衬底由单晶碳化硅制成并在偏离角方向上具有0.1°以上且10°以下的偏离角，所述偏离角方向是相对于(0001)面的<11-20>方向或<1-100>方向；和在所述底部衬底的表面上生长碳化硅层的成膜步骤(S20)。在所述成膜步骤(S20)中，在上游侧的端部处在已生长的所述碳化硅层的表面上形成具有(0001)小平面的区域，所述上游侧为在所述偏离角方向上在所述底部衬底的<0001>方向轴与所述底部衬底的所述表面之间相交的角为锐角的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅锭的方法，包括：准备底部衬底(1)的步骤(S10)，所述底部衬底(1)由单晶碳化硅制成并在偏离角方向上具有0.1°以上且10°以下的偏离角，所述偏离角方向是相对于(0001)面的<11‑20>方向或<1‑100>方向；以及在所述底部衬底(1)的表面上生长碳化硅层的步骤(S20)，在所述生长碳化硅层的步骤(S20)中，在上游侧的端部处在已生长的所述碳化硅层的表面上形成具有(0001)小平面的区域，所述上游侧为在所述偏离角方向上在所述底部衬底的<0001>方向轴与所述底部衬底的所述表面之间相交的角为锐角的一侧。
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