[发明专利]由SiC鳍或纳米线模板制造的石墨烯纳米带和碳纳米管

摘要

从碳化硅（SiC）鳍或纳米线的模板提供半导体结构，所述半导体结构包括沿晶向取向的平行石墨烯纳米带或碳纳米管。首先提供SiC鳍或纳米线，然后通过退火在所述鳍或所述纳米线的暴露表面上形成石墨烯纳米带或碳纳米管。在其中形成闭合的碳纳米管的实施例中，纳米线在退火之前被悬置。所提供的石墨烯纳米带和碳纳米管的位置、取向和手征性由形成该石墨烯纳米带和碳纳米管所使用的对应碳化硅鳍和纳米线确定。

主权项

一种半导体结构，包括：至少一个碳化硅鳍，其位于衬底表面上；石墨烯纳米带，其位于所述至少一个碳化硅鳍的每个裸露侧壁上；以及栅极结构，其被取向为垂直于所述至少一个碳化硅鳍，所述栅极结构覆盖每个石墨烯纳米带的一部分并位于所述至少一个碳化硅鳍的一部分的顶上，其中被所述栅极结构覆盖的所述每个石墨烯纳米带的所述部分限定所述半导体结构的沟道区。