[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，构成为，在形成有栅电极（108）的槽（105）的底部或槽（105）正下方的漂移区域（102）内形成阳极区域（106），以到达阳极区域（106）的深度在槽（105）内形成接触孔（110），经由内壁绝缘膜（111）在接触孔（110）埋设源电极（112），在通过内壁绝缘膜（111）与栅电极（108）绝缘的状态下，将阳极区域（106）和源电极（112）电连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于所述半导体衬底的一主面上；第二导电型的阱区域，其形成于所述漂移区域内；第一导电型的源极区域，其形成于所述阱区域内；槽，其贯通所述源极区域以及所述阱区域并到达所述漂移区域的深度；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于所述槽的侧部；源电极，其与所述阱区域及所述源极区域连接；漏电极，其与所述半导体衬底的另一主面连接；层间绝缘膜，其形成于所述栅电极上并覆盖所述栅电极；阳极区域，其形成于所述槽的底部或所述槽的正下方的所述漂移区域内；接触孔，其以到达所述阳极区域的深度形成于所述槽内；内壁绝缘膜，其与所述栅电极相接而形成于所述接触孔的内壁侧面，所述源电极经由所述内壁绝缘膜埋设于所述接触孔，并在通过所述内壁绝缘膜与所述栅电极绝缘的状态下与所述阳极区域电连接，所述阳极区域由能带隙与所述漂移区域不同的半导体形成，所述槽相对于所述半导体衬底的主面方向网眼状地形成，所述接触孔沿着所述槽内连续地形成为网眼状。