[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280018242.2 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103477428B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 长畦文男 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，能够减小接合部隅角上的应力集中，来抑制或防止在例如温度循环的可靠性测试中焊料层产生裂纹。本发明所涉及的半导体器件具有如下连接结构：在两个表面接合有导体图案(2a、2b)的绝缘衬底(1)上安装半导体芯片(3)，并且将绝缘衬底(1)与散热用基底构件(4)接合，使得由半导体芯片(3)产生的热量能够释放到外部。一端与安装有半导体芯片(3)的绝缘衬底的正面上的导体图案(2a)接合的内部连接端子(70)的接合部(71、72)为圆形。此外，绝缘衬底的背面上的与散热基底构件(4)进行接合的导体图案(2b)的接合面为长方形，且在隅角附近具有预定的曲率半径。其结果是，能够将施加在固定层、例如焊料层的隅角上的应力减小至弹性极限以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有如下连接结构：在正面和背面接合有导体图案的绝缘衬底上安装功率半导体芯片，并且将所述绝缘衬底与散热基底构件连接，使得由所述功率半导体芯片产生的热量能够释放到外部，其特征在于，所述绝缘衬底的背面上的与所述散热基底构件接合的所述导体图案的接合部为长方形，且在隅角附近具有预定的曲率半径，金属端子的接合部为圆形，该金属端子的一端与安装有所述功率半导体芯片的所述绝缘衬底的正面上的所述导体图案接合，所述金属端子是从安装有所述功率半导体芯片的所述绝缘衬底引出的外部引出端子，并且所述外部引出端子的接合部具有多个用于与所述绝缘衬底的正面上的所述导体图案独立地接合的突出部。
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