[发明专利]集电体用铝基材、集电体、正极、负极和二次电池有效
| 申请号： | 201280016077.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103460465A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 畠中优介;星聪 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/70 | 分类号： | H01M4/70;H01M4/131;H01M4/485;H01M4/66;H01M10/052;H01M10/0566 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 牛海军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种可制作循环特性优异的二次电池的集电体用铝基材、及各自使用该铝基材制备的集电体、正极、负极和二次电池。所述集电体用铝基材具有其中选自由下列各项组成的组的至少两种构造彼此重叠的表面：平均开口尺寸超过5μm且为100μm以下的大波构造、平均开口尺寸超过0.5μm且为5μm以下的中波构造以及平均开口尺寸超过0.01μm且为0.5μm以下的小波构造，其中所述表面的剖面曲线中的最大剖面高度(Pt)为10μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 体用 基材 集电体 正极 负极 二次 电池 | ||
【主权项】：
一种集电体用铝基材，所述集电体用铝基材包括：至少两种构造在其中彼此重叠的表面，所述至少两种构造选自：平均开口尺寸超过5μm且为100μm以下的大波构造、平均开口尺寸超过0.5μm且为5μm以下的中波构造以及平均开口尺寸超过0.01μm且为0.5μm以下的小波构造，其中所述表面的剖面曲线的最大剖面高度Pt为10μm以下。
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