[发明专利]一种光电材料及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201280011939.7 申请日: 2012-03-07
公开(公告)号: CN103534246B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 陈永胜;万相见;刘永胜;李智;周娇艳;王菲;贺光瑞;龙官奎 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C07D333/22 分类号: C07D333/22;C07D417/14;C07D333/24;C07D409/14;C07D495/04;C09K11/06;C08G61/12;H01L51/05;H01L51/42
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;阴亮
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 公开了给受体型寡聚噻吩化合物、其制备方法与用途。
搜索关键词: 一种 光电 材料 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
选自通式(1)至通式(6)的给受体型寡聚噻吩化合物:其中,n为1至50的整数,R1和R2分别独立地选自H、C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C1‑C30烷氧基、C1‑C30羧酸酯基或其卤素取代的衍生物,其中R1和R2可以相同也可以不同,但是R1和R2不能同时为H,D和D1分别独立地选自基团7至基团19:其中R3选自H、C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C1‑C30烷氧基、C1‑C30羧酸酯基或其卤素取代的衍生物;A和A1分别独立地选自基团21至基团30:其中R4选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C1‑C30烷氧基、C1‑C30羧酸酯基或其卤素取代的衍生物;以及A2为端基受体单元并且选自基团31至基团54和基团56至基团60:其中R5和R6分别独立地选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C1‑C30烷氧基或其卤素取代的衍生物,以及X为能够使A2形成中性基团的阴离子。
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