[发明专利]干洗方法无效
| 申请号： | 201280011571.4 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103430290A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 梅崎智典;武田雄太 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种干洗方法，其使用清洗气体将装置的成膜腔室内或排气配管内所堆积的组成式MgaZnbOHc（0≤a≤1、0≤b≤1、0≤c≤1，并且0.5≤a+b≤1）所表示的组合物去除，所述装置为将组成式MgxZn1-xO（0≤x≤1）所表示的组合物成膜的装置。该方法的特征在于，其使用包含β-二酮的清洗气体，在100℃以上且400℃以下的温度下，使该清洗气体与堆积的该组合物反应，由此将该组合物去除。通过该方法，能够在低温下不打开该装置而将该组合物去除。 | ||
| 搜索关键词： | 干洗 方法 | ||
【主权项】：
一种干洗方法，所述干洗方法使用清洗气体将装置的成膜腔室内或排气配管内所堆积的组成式MgaZnbOHc（0≤a≤1、0≤b≤1、0≤c≤1，并且0.5≤a+b≤1）所表示的组合物去除，所述装置为将组成式MgxZn1‑xO（0≤x≤1）所表示的组合物成膜的装置，所述方法的特征在于，使用包含β‑二酮的清洗气体，在100℃以上且400℃以下的温度下，使该清洗气体与堆积的该组合物反应，由此将该组合物去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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