[发明专利]带有增益(EC)的上转换器件和光检测器在审
申请号: | 201280010508.9 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103443935A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 弗兰基·索;金渡泳;普拉丹·布哈本德拉 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方案涉及带有增益的IR光检测器,其产生自将电荷倍增层(CML)置于光检测器的阴极和IR敏化层之间,其中在CML处累积的电荷降低了阴极和CML之间的能差以促进电子的注入,这导致了单载子电子元件的增益。本发明的其它实施方案涉及将带有增益的IR光检测器纳入可用在夜视和其它应用中的IR至可见光上转换器件中。 | ||
搜索关键词: | 带有 增益 ec 转换 器件 检测器 | ||
【主权项】:
一种带有增益的IR光检测器,其包含阴极、IR敏化材料层、电荷倍增层(CML)和阳极,其中所述CML使所述IR敏化材料层分隔于所述阴极并在无IR辐射的情况下具有比所述阴极的费米能级高0.5eV以上的LUMO能级,或者所述CML使所述IR敏化材料层分隔于所述阳极并在无IR辐射的情况下具有比所述阳极的费米能级低0.5eV以上的HOMO能级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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