[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法有效
申请号: | 201280008882.5 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN103370790A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 川岛良男;早川幸夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00;H01L49/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 非易失性存储装置具备:存储器单元阵列(10),具有由电阻变化元件(141)和第1电流控制元件(142)构成的多个存储器单元(11);以及电流控制元件参数产生电路(20),具有配置在基板(100)与第2层间绝缘层(105)之间的第3布线(203)、配置在第2层间绝缘层(105)上的第4布线(219)、在第3布线(203)与第4布线(219)之间通过将电阻变化元件(141)除去而不经由电阻变化元件(141)地与第3布线(203)及第4布线(219)连接、且具有与第1电流控制元件(142)相同的非线性电流控制特性的第2电流控制元件(242)。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储装置,具备:存储器单元阵列,具有多个将第1电流控制元件和电阻变化元件串联连接而成的层叠型构造的存储器单元;电流控制元件参数产生电路,具有用于评价上述第1电流控制元件的电流控制特性的第2电流控制元件,并与上述存储器单元阵列电连接,使上述存储器单元动作;在形成上述存储器单元阵列的区域及形成上述电流控制元件参数产生电路的区域中,设有第1层叠体,该第1层叠体由电流控制元件下部电极层、电流控制层及电流控制元件上部电极层构成,作为上述第1电流控制元件及上述第2电流控制元件发挥功能;在上述第1层叠体上,设有第2层叠体,该第2层叠体由电阻变化元件下部电极层、包含缺氧型的第1金属氧化物的第1氧化物层、包含缺氧度比上述第1金属氧化物小且电阻值比上述第1金属氧化物高的第2金属氧化物的第2氧化物层、以及电阻变化元件上部电极层构成,作为上述电阻变化元件发挥功能;在形成上述电流控制元件参数产生电路的区域中,上述第2层叠体的一部分被除去,以使上述第2电流控制元件与配置在上述第2电流控制元件的上方的层不经由上述第2氧化物层而连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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