[发明专利]在切割胶带上施加有底部填料膜的预切割的晶片有效
| 申请号： | 201280007466.3 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103460361B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | G·黄;Y·金;R·吉诺 | 申请（专利权）人： | 汉高知识产权控股有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 柴丽敏;于辉 |
| 地址： | 德国杜*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造具有预先施加的底部填料的半导体的方法，包括：(a)提供在有源面上具有多个金属凸块的减薄的硅半导体晶片，任选地，硅通孔垂直穿过所述硅半导体晶片；(b)在切割支撑胶带上提供底部填料，其中所述底部填料被预先切割为所述半导体晶片的形状；(c)将所述切割支撑胶带上的底部填料与所述半导体晶片对齐布置，并将所述底部填料层合至所述半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 胶带 施加 底部 填料 晶片 | ||
【主权项】：
制造用于切割的具有施加的底部填料的减薄的半导体晶片的方法，包括：(a)提供具有有源面、背侧、和在有源面上具有多个金属凸块的减薄的半导体晶片；(b)在切割支撑胶带上提供底部填料，其中所述底部填料被预先切割为所述减薄的半导体晶片的形状；(c)将所述切割支撑胶带上的所述底部填料与所述减薄的半导体晶片对齐布置，并且将所述底部填料层合至所述有源面，形成切割支撑胶带、底部填料和减薄的半导体晶片的集合；(d)将所述集合安装进切割框架，并将所述减薄的半导体晶片的背侧暴露以用于后续切割；其中，在一个制造步骤中供应所述底部填料和所述切割支撑胶带至所述减薄的半导体晶片。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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