[发明专利]用于通过利用气态熔剂介质激光焊接对两个衬底的连接面进行电接触的方法和设备有效
| 申请号: | 201280007342.5 | 申请日: | 2012-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN103477424A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 加西姆·阿兹达什 | 申请(专利权)人: | 派克泰克封装技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于使两个衬底(6,7)的连接面进行电接触的方法,其中所述两个衬底尤其是芯片(6)和载体衬底(7)、两个晶片或多个重叠设置的芯片以及衬底。根据本发明的方法以两个连续的阶段实现,其中在第一阶段中,将芯片(6)借助于其连接面相对于衬底(7)的连接面定位,以及实现用激光能(5)从背面加载芯片(6);并且在后续的第二阶段中,实现在壳体(3)中用熔剂介质(例如氮气-甲酸混合物)加载,并且同时实现通过用激光能(5)从背面加载芯片(6)而引起的回流以及随后实现壳体内腔的吹扫过程。此外,本发明还涉及一种用于实现根据本发明的方法的第二阶段的设备。用于实现方法的第二阶段的根据本发明的设备包括:载体台(1)和壳体(3),所述壳体与载体台(1)的上侧共同形成壳体内腔,器件装置定位在所述壳体内腔中;以及激光光源(5),所述激光光源定向为,使得激光束从背侧射到第一衬底(6)上。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 通过 利用 气态 熔剂 介质 激光 焊接 两个 衬底 连接 进行 接触 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于使两个衬底(6、7)的连接面进行电接触的方法,其中第一衬底(6)借助于其朝向第二衬底(7)的所述连接面直接与所述第二衬底(7)的所述连接面电连接和机械连接,并且所述第一衬底(6)的所述连接面设有焊剂涂层(10),并且其中,方法过程以两个连续的阶段进行,所述方法过程具有第一阶段,其中,‑将所述第一衬底(6)借助于其连接面相对于所述第二衬底(7)的所述连接面定位,并且‑用激光能(5)从背面加载所述第一衬底(6),使得焊剂(10)至少熔融到能够将所述第一衬底(6)机械地固定在所述第二衬底(7)上,以及实现彼此相向的所述连接面的电接触;并且具有第二阶段,其中‑在壳体内腔中实现用熔剂介质加载由所述衬底(6、7)构成的器件装置,‑同时通过用激光能(5)从背面加载所述第一衬底(6)来实现所述焊料(10)的再次熔融,并且‑紧接着实施所述壳体内腔的吹扫过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





