[发明专利]具有过度生长的发射极的SiC双极结晶体管无效
| 申请号： | 201280007064.3 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103339731A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·康斯坦丁诺夫 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/04;H01L29/10;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;陈伟伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的新设计和制造这种SiC BJT的新方法。SiC BJT包括布置为叠层的集电极区域（220）、基极区域（240）和发射极区域（260）。发射极区域在叠层的顶部上形成由外侧壁（265）限定的凸起结构。基极区域的与发射极区域界面连接的部分限定本征基极区域（245）。此外，本征基极区域包括第一部分（246），其通过第二部分（247）与发射极区域的外侧壁沿侧向隔开，第二部分具有的掺杂剂剂量比第一部分的掺杂剂剂量高。本发明的有利之处在于，提供了具有改进的闭锁能力并仍具有足够高的电流增益的SiC BJT。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 过度 生长 发射极 sic 结晶体 | ||
【主权项】：
一种碳化硅，SiC，双极结晶体管，BJT，（200），包括布置为叠层的集电极区域（220）、基极区域（240）和发射极区域（260），所述发射极区域在所述叠层的顶部上形成由外侧壁（265）限定的凸起结构，其中，所述基极区域的与所述发射极区域界面连接的部分限定本征基极区域（245），所述本征基极区域包括第一部分（246），所述第一部分通过第二部分（247）与所述发射极区域的外侧壁沿侧向隔开，所述第二部分具有的掺杂剂剂量比所述第一部分的掺杂剂剂量高。
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