[发明专利]单层BGA基板工艺

摘要

本公开的实施例提供使用金属和绝缘材料形成基板的半导体封装体技术。该基板包括键合到半导体器件的第一表面和键合到印刷电路板的第二表面。使用最小化用于形成该基板所使用掩膜层的数量的若干技术形成该基板。例如，对金属基板图案化以在该表面上形成三维图案。在该三维图案上沉积电介质材料。使用在此描述的若干图案化和抛光实施例，将该金属/电介质基板图案化和抛光以形成键合至该半导体器件的基本上齐平的表面。在一个实施例中，对该金属/电介质基板的顶部表面图案化以曝露下面的金属基板，并且对该金属基板的底部表面抛光以与电介质材料基本上齐平。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在金属基板的顶部表面上形成三维图案，在所述金属基板的所述顶部表面上的所述三维图案具有第一层和第二层，所述第一层在所述第二层上方；在所述金属基板的所述顶部表面上的所述三维图案的所述第一层和所述第二层之上形成第一图案，其中在所述金属基板的所述顶部表面上的所述三维图案的所述第一层和所述第二层之上形成的所述第一图案(i)是使用电介质材料形成的并且(ii)通过在所述三维图案的所述第一层之上形成的所述电介质材料暴露所述金属基板的所述顶部表面的多个第一部分；通过去除所述金属基板的底部表面的一部分，在所述金属基板的所述底部表面上与所述电介质材料结合地形成第二图案，去除所述金属基板的底部表面的一部分包括去除所述金属基板的所述顶部表面上的所述三维图案的所述第二层，使得所述电介质材料与所述金属基板的所述底部表面基本上齐平；将半导体器件耦合至(i)所述电介质材料的底部表面和(ii)所述金属基板的所述底部表面中的至少一项；在所述半导体器件与(i)所述电介质材料的所述底部表面和(ii)所述金属基板的所述底部表面中的至少一项之间形成多个单独的电连接；以及将电连接件耦合至所述金属基板的所述顶部表面的多个暴露的第一部分中的至少一个，所述电连接件被配置为耦合至印刷电路板。