[发明专利]具有直接耦合到本体区域的源极线的存储器装置有效

专利信息
申请号: 201280006100.4 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN103329270B 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 合田晃 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;G11C16/10;H01L27/11524;G11C16/14;G11C16/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明展示存储器装置、存储器单元串及操作存储器装置的方法。所描述的配置包含将细长本体区域直接耦合到源极线。所展示的配置及方法应提供可靠偏压给本体区域以实现存储器操作,如擦除。
搜索关键词: 具有 直接 耦合 本体 区域 源极线 存储器 装置 方法
【主权项】:
一种存储器装置,其包括:p型细长本体区域;n型源极区域,其耦合到所述p型细长本体区域的第一端部;n型漏极区域,其耦合到所述p型细长本体区域的第二端部;多个栅极,所述多个栅极的位置沿着所述p型细长本体区域的长度分布,所述多个栅极的各者是通过围绕所述p型细长本体区域的至少一相应电荷存储结构而与所述p型细长本体区域分离;第一选择栅极,其与所述p型细长本体区域的第一端部相邻;第二选择栅极,其与所述p型细长本体区域的第二端部相邻;以及源极线,其在所述p型细长本体区域的端部处直接耦合到所述p型细长本体区域,其中所述源极线堆叠在所述n型源极区域的顶部上;其中所述n型源极区域围绕所述p型细长本体区域的端部的截面且还耦合到所述源极线。
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