[发明专利]具有直接耦合到本体区域的源极线的存储器装置有效
| 申请号: | 201280006100.4 | 申请日: | 2012-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN103329270B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
| 发明(设计)人: | 合田晃 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556;G11C16/10;H01L27/11524;G11C16/14;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 孙宝成 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明展示存储器装置、存储器单元串及操作存储器装置的方法。所描述的配置包含将细长本体区域直接耦合到源极线。所展示的配置及方法应提供可靠偏压给本体区域以实现存储器操作,如擦除。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 直接 耦合 本体 区域 源极线 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器装置,其包括:p型细长本体区域;n型源极区域,其耦合到所述p型细长本体区域的第一端部;n型漏极区域,其耦合到所述p型细长本体区域的第二端部;多个栅极,所述多个栅极的位置沿着所述p型细长本体区域的长度分布,所述多个栅极的各者是通过围绕所述p型细长本体区域的至少一相应电荷存储结构而与所述p型细长本体区域分离;第一选择栅极,其与所述p型细长本体区域的第一端部相邻;第二选择栅极,其与所述p型细长本体区域的第二端部相邻;以及源极线,其在所述p型细长本体区域的端部处直接耦合到所述p型细长本体区域,其中所述源极线堆叠在所述n型源极区域的顶部上;其中所述n型源极区域围绕所述p型细长本体区域的端部的截面且还耦合到所述源极线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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