[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201280005903.8 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103329224A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/24;C22C1/00;C22C1/04;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/053;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法，包括：准备至少一个R-T-B系烧结磁体原材料（R为稀土元素，T为Fe或者Fe和Co）的工序；准备含有重稀土元素RH（Dy和/或Tb）和30质量%以上80质量%以下的Fe、各自的粒径超过53μm且在5600μm以下的多个RH扩散源的工序；在处理容器内配置R-T-B系烧结磁体原材料和RH扩散源的配置工序，其中，使RH扩散源中的几个与R-T-B系烧结磁体原材料接触；在处理容器内，对接触RH扩散源中的几个的状态的R-T-B系烧结磁体原材料、以及接触R-T-B系烧结磁体原材料的RH扩散源和不接触R-T-B系烧结磁体原材料的RH扩散源，在压力5000Pa以下的不活泼气氛下，在800℃以上1000℃以下的温度进行热处理的RH扩散工序；和，使RH扩散源从R-T-B系烧结磁体原材料离开的分离工序。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备至少一个R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序，其中，R为稀土元素，T为Fe或者Fe和Co；准备含有重稀土元素RH和30质量%以上80质量%以下的Fe、各自的粒径超过53μm且在5600μm以下的多个RH扩散源的工序，其中，重稀土元素RH为Dy和/或Tb；在处理容器内配置所述R‑T‑B系烧结磁体原材料和所述多个RH扩散源的配置工序，其中，使所述多个RH扩散源中的几个与所述R‑T‑B系烧结磁体原材料接触；在所述处理容器内，对接触所述多个RH扩散源中的几个的状态的所述R‑T‑B系烧结磁体原材料、以及接触所述R‑T‑B系烧结磁体原材料的RH扩散源和不接触所述R‑T‑B系烧结磁体原材料的RH扩散源，在压力5000Pa以下的不活泼气氛下，在800℃以上1000℃以下的温度进行热处理的RH扩散工序；和，在所述RH扩散工序后，使所述多个RH扩散源从所述R‑T‑B系烧结磁体原材料离开的分离工序。
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