[发明专利]用于连接半导体装置的高纯度铜细线

摘要

通过制备使其截面组织成为双重组织的高纯度铜细线，铜细线的机械强度增加，并因此提供亚毫米直径的高纯度铜细线，其最适用于在短时间内反复进行多次开/关操作的高温功率半导体。本发明涉及具有氧化物膜并且由纯度为99.999至99.99994质量％的铜制成的高纯度铜细线；该铜细线具有这样的截面组织，其中，10颗最大的晶粒共同地具有占截面组织总面积的5-25％的晶粒面积，且此晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有细线直径的1/20以下的厚度；该高纯铜细线通过连续拉拔制成，并用于连接半导体装置。

主权项

一种连续拉拔的高纯度铜细线，所述铜细线被氧化物膜包覆，具有99.999质量％‑99.99994质量％的纯度，具有不小于0.01mm但小于1mm的细线直径，且用于连接半导体装置，其中，所述细线具有这样的截面组织：最大的10颗晶粒具有占据所述截面组织总面积的5‑25％的总晶粒面积，并且所述晶粒面积的80％以上在相对于表面层的内侧，所述表面层被定义为具有所述细线直径的1/20以下的厚度。