[发明专利]高压集成电路设备

摘要

在p半导体基板（1）的表面层上，高压集成电路设备（100）设置有作为高侧浮动电位区的n区（3）、形成高压结端接区（93）的n-区（4）、以及作为LVDD电位区的n-区（2）。低侧电路部（91）设置在n-区（2）上。进行欧姆接触的通用接触区（58）设置在拾取电极（59）下方，该拾取电极（59）设置在高压结端接区（93）。通用接触区（59）具有p+区（56）和N+区（57）沿着p半导体基板（1）的表面交替接触的结构。通过如此地设置通用接触区（58），当输入负浪涌电压时，流入低侧电路部（91）的载流子的量可减少。由此，可防止低侧电路部（91）的逻辑部的错误操作和低侧电路部（91）的闩锁。

主权项

一种高压集成电路设备，包括：第一导电类型的半导体基板；第二导电类型的低侧电路部，所述第二导电类型的低侧电路部设置在所述半导体基板上，并且连接到将GND电位作为基准的低压电源；第二导电类型的高侧电路部，所述第二导电类型的高侧电路部设置在所述半导体基板上距所述低侧电路部一距离的位置，并且连接到将高于所述GND电位的中间电位作为基准的低压电源；第一导电类型区域，所述第一导电类型区域电连接到所述GND电位，包围所述高侧电路部设置，并且与所述低侧电路部的外周部一起形成高压结端接区；第一拾取电极，所述第一拾取电极设置在所述第一导电类型区域中；第二拾取电极，所述第二拾取电极连接到将所述中间电位作为基准的所述低压电源的高电位侧，并且设置在所述高压结端接区内部以及所述高侧电路部的外周部中；第一导电类型的第一高浓度接触区，所述第一导电类型的第一高浓度接触区与所述第一拾取电极欧姆接触；以及第二导电类型的第二高浓度接触区，所述第二导电类型的第二高浓度接触区与所述第二拾取电极欧姆接触，其中所述第一高浓度接触区和所述第二高浓度接触区中的至少一个区域是通用接触区，其中p区和n区沿着所述半导体基板的表面设置成相互交替接触。