[实用新型]像素结构、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220708111.4 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN203084392U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 薛海林;王磊;李月;曹起;薛艳娜 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 王黎延;任媛 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种像素结构，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、栅线、数据线、公共线、像素电极和公共电极；其中，所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接像素电极，源极连接数据线；所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接公共电极，源极连接公共线。本实用新型还相应地公开了一种阵列基板及显示装置。通过本实用新型，能够使像素电极和公共电极都产生完全相同的跳变电压，以保持液晶上的电压差不发生变化，从而完全消除了耦合电容导致的跳变电压对液晶显示的影响，避免画面闪烁及画面显示不均匀的情况，提高画面品质。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种像素结构，其特征在于，该像素结构包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、栅线、数据线、公共线、像素电极和公共电极；其中，所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接像素电极，源极连接数据线，栅线控制所述第一薄膜晶体管导通后，像素电极在所述第一薄膜晶体管导通时间内充电，所述第一薄膜晶体管截止时，像素电极上产生第一跳变电压；所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅线，漏极连接公共电极，源极连接公共线，栅线控制所述第二薄膜晶体管导通后，公共电极在所述第二薄膜晶体管导通时间内充电，所述第二薄膜晶体管截止时，公共电极上产生第二跳变电压；所述第二跳变电压与所述第一跳变电压的幅值和方向相同。
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