[实用新型]一种逆导型IGBT的背面版图布局有效
| 申请号： | 201220689587.8 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202977426U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;田晓丽;朱阳军;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局，属于半导体器件技术领域。该背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，P+集电区连续。该背面版图布局1）由于引入了P+引导区，所以能够消除短路集电极型逆导IGBT的初次回跳；2）由于P+集电区连续，使导通区域的扩展过程也是连续渐变的，所以能够避免由于突变性扩展引起的二次回跳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 背面 版图 布局 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT的背面版图布局，包括P+集电区、N+短路区和P+引导区，所述N+短路区和P+引导区向该逆导型IGBT的正面延伸后与栅极引线键合窗口无交集，其特征在于，所述P+集电区连续。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司，未经中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220689587.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种模块化的光伏逆变器
- 下一篇：断路器的手动操作装置
- 同类专利
- 专利分类
