[实用新型]一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片有效
| 申请号： | 201220661779.8 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203056366U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;尧舜;潘飞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片结构，属于半导体激光技术领域。本实用新型在现有大功率半导体激光器外延材料体系基础上增加生长二极管，该二极管可以防止浪涌和静电等不利因素对半导体激光芯片的损伤，起到保护器件，延长使用寿命的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 保护 二极管 大功率 半导体 激光 芯片 | ||
【主权项】：
一种集成保护二极管的大功率半导体激光芯片，其特征在于：在半导体激光器芯片上的非发光区域设置有进行刻蚀后生长的与发光区域掺杂类型相反的二极管。
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