[实用新型]一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器有效
| 申请号： | 201220653770.2 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN202916550U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋强;梁斌明;胡艾青;胡水兰;张磊;湛胜高;朱幸福 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，属于光通信应用技术领域，尤其适用于光通信中的集成光学领域。所述光强调制器包括孔型硅基光子晶体、5CB液晶、透明导电膜层、外接电压接线点和两个包层玻璃。其中，孔型硅基光子晶体的部分孔中填充5CB液晶，包层玻璃覆盖于光子晶体中垂直于空气孔的两侧，透明导电膜层直接镀附在包层玻璃内侧，外接电压接线点与透明导电膜层连接，外加电压通过接线点施加在透明电极上。本实用新型结构简单，体积小巧，光在其中自准直传播使调制后的光束易于无衍射损耗地传输至下一光学器件，插入损耗很小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 效应 二维 光子 晶体 调制器 | ||
【主权项】：
一种基于自准直效应的二维光子晶体光强调制器，其特征在于：所述光强调制器包括孔型硅基光子晶体（1）、5CB液晶（2）、透明导电膜层（3）、外接电压接线点（4）和包层玻璃（5），其中，所述孔型硅基光子晶体（1）由分束结构（6）、反射结构（7）和位于二者之间的自准直结构（8）构成，自准直结构（8）包括三个自准直区域（9、10、11）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220653770.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
