[实用新型]一种晶体硅太阳电池和光伏组件有效
| 申请号： | 201220575694.8 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN202888191U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 温建军;陈如龙 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶体硅太阳电池，其特征在于：所述晶体硅太阳电池的受光面上设有用于收集电能的若干条副栅线，和用于将所述副栅线上的电能汇流的若干条主栅线；所述主栅线之间的间距为31～42毫米。由于本实用新型将晶体硅太阳电池的主栅线设计为四条或四条以上，从而缩短副栅线到达主栅线的长度，在不增加电池被遮挡的面积的前提下，可在电池效率不变和不增加任何成本的情况下，降低组件的串联电阻，提高组件的填充因子(FF)，提高组件的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 组件 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池，其特征在于：所述晶体硅太阳电池的受光面上设有用于收集电能的若干条副栅线，和用于将所述副栅线上的电能汇流的若干条主栅线；所述主栅线之间的间距为31～42毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
