[实用新型]一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路有效
| 申请号： | 201220510065.7 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN202856306U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 黄善兵;翟建光;甘彦君 | 申请（专利权）人： | 深圳市新国都技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H11/00;H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李新林 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其包括有：熔断器、双向可控硅及稳压管，所述熔断器的第一端为电源端，其第二端为供电输出端，该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极，该稳压管的阳极通过第二电阻接地，所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极，所述双向可控硅的第二极接地，其控制极连接至稳压管的阳极。本实用新型不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双向 可控硅 反接 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有：熔断器（FU1）、双向可控硅（Q1）及稳压管（D1），所述熔断器（FU1）的第一端为电源端（VIN），其第二端为供电输出端（VCC），该第二端还通过第一电阻（R1）而连接至稳压管（D1）的阴极，该稳压管（D1）的阳极通过第二电阻（R2）接地，所述熔断器（FU1）的第二端还连接双向可控硅（Q1）的第一极，所述双向可控硅（Q1）的第二极接地，其控制极连接至稳压管（D1）的阳极。
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