[实用新型]一种金属有机物化学气相沉积装置有效
| 申请号: | 201220495096.X | 申请日: | 2012-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN202830169U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
| 发明(设计)人: | 周宁;何乃明;姜勇;杜志游;尹志尧 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本实用新型提供一种金属有机物化学气相沉积装置,所述化学气相反应沉积装置包括一个位于反应腔内的基座用于放置待处理基片,基座由下方的旋转轴带动高速转动。与基座相对的包括一个气体分布装置,气体分布装置包括多根平行的气体分布管道,气体分布管道下方包括导气部件,导气部件包括与所述气体分布管道位置对应的多个凹槽和向下突起部,所述多根气体分布管道分别通过多个导气槽与导气部件下表面的凹槽和向下突起部相连通。导气部件下表面的多个导气槽分别向下喷出第一和第二反应气体。所述导气槽之间具有相同的距离。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 金属 有机物 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种金属有机物化学气相沉积装置,所述装置包括一个反应腔,反应腔内包括一个放置待处理基片的基座,所述基座设置在旋转轴上,使所述基座转速大于500转/分钟;一个气体分布器与所述基座相对并向所述基座供应气体,所述气体分布器包括多条平行排布的气体分布管道,所述气体分布管道包括第一气体分布管道和第二气体分布管道,分别与第一反应气体源和第二反应气体源相连通,其中第一气体分布管道与第二气体分布管道交替排布;所述多条第一气体分布管道和第二气体分布管道下方还包括一个导气部件,所述导气部件下表面包括多个凹槽和向下突出部;所述多个凹槽与所述多个第一气体管道位置对应,所述凹槽内包括第一导气槽与所述多个第一气体分布管道连通;所述多个突出部与所述多个第二气体分布管道位置对应,所述突出部内包括多个第二导气槽与所述第二气体分布管道连通;所述第一气体分布管道与第二气体分布管道平行交替分布且具有相同的距离L。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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