[实用新型]太阳能级单晶硅片有效
申请号: | 201220414957.7 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN202758897U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 夏学军 | 申请(专利权)人: | 云南三奇光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
地址: | 675800 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种太阳能级单晶硅片,其包括硅片本体,该硅片本体采用单晶硅制作而成,所述硅片本体为平行四边形结构,该硅片本体的厚度为100um~200um。本实用新型的太阳能级单晶硅片,其针对于不规则硅棒体,采用平行四边形结构设置,进行因形而取材,可以避免回炉,减少损耗。 | ||
搜索关键词: | 太阳 能级 单晶硅 | ||
【主权项】:
一种太阳能级单晶硅片,包括硅片本体,该硅片本体采用单晶硅制作而成,其特征在于,所述硅片本体为平行四边形结构,该硅片本体的厚度为100um~200um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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