[实用新型]注入装置、冲压与注入联动装置及芯片封装系统有效
| 申请号: | 201220410633.6 | 申请日: | 2012-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN202758854U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
| 发明(设计)人: | 周润宝 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种注入装置、冲压与注入联动装置及芯片封装系统,包括驱动基座、上座凸模、下座凹模以及如上的注入装置,上座凸模与注入装置间隔固定设置于驱动基座的下方,下座凹模位于上座凸模与注入装置的下方,下座凹模上对应上座凸模与注入装置的位置分别开设用于放置框架载片台的框架槽。本实用新型还公开了一种注入装置以及芯片封装系统,通过在框架载片台中冲压出凹槽,位于凹槽的软焊料无法外溢,不会存在因装片机焊头Z向精度或者框架载片台局部沾锡性不一问题引起软焊料外溢所导致的软焊料不均匀现象,能根据需要控制软焊料厚度与均匀性,使软焊料厚度和均匀性指标达标;且去除点锡、压膜装置及其相应动作,可提高生产效率,降低对芯片封装系统的制造要求。 | ||
| 搜索关键词: | 注入 装置 冲压 联动 芯片 封装 系统 | ||
【主权项】:
一种注入装置,包括架体、电磁压力控制阀、软焊料融化腔、软焊料流量控制阀以及温控加热装置,所述软焊料融化腔设置于所述架体的内部,所述电磁压力控制阀设置于架体上用于将软焊料引入所述软焊料融化腔内,所述软焊料融化腔的底部设有软焊料流量控制阀,所述温控加热装置设置于所述架体上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司,未经杭州士兰集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220410633.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多热源洗浴热水控制电路
- 下一篇:一种带有自清洁装置的溶解氧传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





