[实用新型]半导体激光装置有效

专利信息
申请号: 201220383621.9 申请日: 2012-08-06
公开(公告)号: CN202888604U 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 韩静 申请(专利权)人: 北京大族天成半导体技术有限公司
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100176 北京市经济技*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种半导体激光装置。将多个结平面垂直于底板安装的半导体激光器所发出的光,经快轴准直、慢轴准直,以及反射镜改变光束方向,在慢轴方向上形成压缩了间距的准直光束,再经透镜耦合进入光纤获得高功率密度光输出。每个半导体激光器可以对应一个慢轴准直柱面透镜,也可以分成若干组,每组共用一个准直柱面透镜。离耦合透镜最远的半导体激光器可以直接将其安装为光轴平行于耦合透镜光轴从而不需要反射镜。这样的装置有很高的可靠性、紧凑的外形,可以集成使用多种波长的激光器,并且很容易扩展出更多功能。
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【主权项】:
一种半导体激光装置,由半导体激光器芯片、热沉、快轴准直柱面透镜、慢轴准直柱面透镜、反射镜、聚焦透镜和光纤构成,其特征为多个激光器芯片各自安装在一个热沉上作为一个单元,多个安装了激光器芯片的热沉以芯片PN结平面垂直于底板的方式安装到底板上,每个激光器的光路上都安装一个快轴准直柱面透镜,其光路前方有一个慢轴准直柱面透镜和一个反射镜,每个反射镜反射其所对应的一路光束,经快轴准直、慢轴准直和反射压缩间距的准直光束通过聚焦透镜聚焦到光纤端面。
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