[实用新型]一种场效应晶体管的驱动电路有效
| 申请号： | 201220301857.3 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN202713267U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张未;李霞;方波 | 申请（专利权）人： | 苏州舜唐新能源电控设备有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种场效应晶体管的驱动电路，包括：NPN型三极管，其集电极通过第一限流电阻与外部电源连接；PNP型三极管，其基极与所述NPN型三极管的基极连接后，形成所述驱动电路的输入端，该输入端接收外部数字控制信号；所述NPN型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接后，接入驱动所述场效应晶体管的门极的线路，而所述PNP型三极管的集电极接入驱动所述场效应晶体管的源极的线路。这种驱动电路增强电流驱动能力，保证MOSFET&IGBT的开关速度，电路在工作时对密勒效应与噪声的抑制能力更强，最大程度的防止MOSFET&IGBT的误动作，以减小功率器件的损坏，提高对系统与设备的防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：NPN型三极管，其集电极通过第一限流电阻与外部电源连接；PNP型三极管，其基极与所述NPN型三极管的基极连接后，形成所述驱动电路的输入端，该输入端接收外部数字控制信号；所述NPN型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接后，接入驱动所述场效应晶体管的门极的线路，而所述PNP型三极管的集电极接入驱动所述场效应晶体管的源极的线路。
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