[实用新型]一种抑制栅源短路失效的MOSFET场效应管有效
| 申请号： | 201220271138.1 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN202651120U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 姚伟明;巨峰峰;杨勇 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种抑制栅源短路失效的MOSFET场效应管，其包括单晶硅衬底层，生长在衬底层主表面的外延层，扩散在外延层内的阱区，及位于阱区内的左右对称的源区，阱区及源区为外延层的主表面的一部分，在外延层主表面设置有栅氧化层，在栅氧化层表面形成有多晶硅栅，在多晶硅栅上积淀有钝化层及金属层，栅氧化层及多晶硅栅至少面对源区和阱区；在多晶硅栅与钝化层之间设置有包覆多晶硅栅表面及四周侧壁的包覆层。包覆层可对多晶硅栅整体进行保护，同时可以修复刻蚀以及离子注入后形成的各类缺陷，从而有效抑制栅源级短路失效形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 短路 失效 mosfet 场效应 | ||
【主权项】：
一种抑制栅源短路失效的MOSFET场效应管，其包括单晶硅衬底层，生长在衬底层主表面的外延层，扩散在外延层内的阱区，及位于阱区内的左右对称的源区，所述阱区及源区为外延层的主表面的一部分，在所述外延层主表面设置有栅氧化层，在所述栅氧化层表面形成有多晶硅栅，在所述多晶硅栅上积淀有钝化层及金属层，所述栅氧化层及所述多晶硅栅至少面对所述源区和阱区；其特征在于在多晶硅栅与钝化层之间设置有包覆多晶硅栅表面及四周侧壁的包覆层。
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