[实用新型]具有倒装焊接结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201220257360.6 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN202695522U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖;蒋伟 | 申请（专利权）人： | 泉州市博泰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有倒装焊接结构的发光二极管，所述发光二极管包括衬底，在所述衬底上表面依次形成的n型GaN层、n型掺杂的AlGaN层、InGaN发光层、p型掺杂的AlGaN层、p型GaN层，以及在所述p型GaN层表面形成的透明导电接触层，在所述透明导电接触层表面形成的p电极，和与所述n型GaN层接触的n电极，所述p电极和n电极表面具有倒装焊接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倒装 焊接 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有倒装焊接结构的发光二极管，所述发光二极管包括衬底，在所述衬底上表面依次形成的n型GaN层、n型掺杂的AlGaN层、InGaN发光层、p型掺杂的AlGaN层、p型GaN层，以及在所述p型GaN层表面形成的透明导电接触层，在所述透明导电接触层表面形成的p电极，和与所述n型GaN层接触的n电极，其特征在于：所述p电极和n电极表面具有倒装焊接结构。
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