[实用新型]一种垂直喷淋式MOCVD反应器的出口系统有效
申请号: | 201220254460.3 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN202610321U | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 杨连乔;张建华;胡建正;李刚 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种垂直喷淋式MOCVD反应器出口系统。该反应器进口采用垂直喷淋式来保证进气的均匀性,出口系统由石墨大盘上晶片间隙处有规则排列的许多小出口组成,反应尾气经由小出口到达石墨盘下方后经由石墨盘下表面到达反应器的周向或中心处的总出口。此反应器出口系统在充分利用垂直喷淋式反应器入口均匀性的基础上,实现了喷淋头中心处和边缘处喷入的反应气体尾气流经距离的一致性,从而在无旋转装置的情况下保证了基片沿径向的沉积均匀性。另外,反应尾气流经石墨盘的下表面,一方面减少了热涡旋效应对反应气流的负面影响,另一方面其对石墨盘的加热也提高了热利用效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 喷淋 mocvd 反应器 出口 系统 | ||
【主权项】:
一种垂直喷淋式MOCVD反应器出口系统,包括一个扁筒形反应室(9)、喷淋头(10)、石墨大盘(5)和晶片(6),其特征在于:1)所述喷淋头(10)安装在反应室(9)的顶盖上,喷淋头(10)上周期性交错排列着小穿孔而垂直插置的III族气体管口(3)和V族气体管口(4),喷淋头(10)为水冷式喷淋头,设有进水口(1)和出水口(2);2)在所述反应室(9)的内底上方水平安装石墨大盘(5),在石墨大盘(5)上周期性排列安置所述晶片(6),在石墨大盘(5)上对应各晶片(6)之间的间隙处,开有出气小孔(7);3)在反应室(9)的下底设有出气口(9)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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