[实用新型]高屏蔽性能半刚射频电缆有效

专利信息
申请号: 201220225261.X 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN202695687U 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 赵明哲;史卫箭;徐晓茹;赵喜春;孟宪媛;靳堃 申请(专利权)人: 天津安讯达科技有限公司
主分类号: H01P3/06 分类号: H01P3/06
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 胡京生
地址: 300457 天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本实用新型专利涉及一种高屏蔽性能半刚射频电缆,其特征在于:包括在镀银铜合金内导体外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层、铜管外导体构成。本实用新型的特点是:在绝缘层外,首先穿过一根铜管,然后经过拉拔,使铜管紧紧包覆在绝缘层外,这样电缆具有较高的屏蔽性能和使用频率。
搜索关键词: 屏蔽 性能 射频 电缆
【主权项】:
一种高屏蔽性能半刚射频电缆,其特征在于:包括在镀银铜合金内导体(1)外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层(2)、铜管外导体(3)构成。
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