[实用新型]光辅助多孔硅电化学腐蚀槽有效
| 申请号： | 201220159302.X | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN202543375U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;刘琛;季峰;江为团 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C25F7/00 | 分类号： | C25F7/00;C25F3/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽，包括：槽体；位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架；位于所述槽体内的电极，所述电极包括阴极电极及阳极电极，所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧；及位于所述槽体内的光辅助结构，所述光辅助结构位于所述固定架及阴极电极之间，用以向所述待腐蚀硅片提供光照，所述光辅助结构的光源密封于透明聚碳酸酯PC塑料内，并具有槽栅结构以利于腐蚀液流动。当进行双槽电化学腐蚀工艺时，通过位于槽体内且位于阴极电极及一待腐蚀硅片之间的光辅助结构，近距离地、直接地照射待腐蚀硅片，从而有效地在待腐蚀硅片中形成一定浓度的空穴，进而保证双槽电化学腐蚀工艺的质量及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 多孔 电化学 腐蚀 | ||
【主权项】：
一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽，包括：槽体；位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架；位于所述槽体内的电极，所述电极包括阴极电极及阳极电极，所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧；其特征在于，还包括：位于所述槽体内的光辅助结构，所述光辅助结构位于所述固定架及阴极电极之间，用以向所述待腐蚀硅片提供光照。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220159302.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
