[实用新型]一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃有效

专利信息
申请号: 201220092295.6 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN202608165U 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 王桂荣;陈德成;陈飞;陈飞;杨真理;李蕾 申请(专利权)人: 武汉长利玻璃(汉南)有限公司
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 邓寅杰
地址: 430090 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及一种镀膜玻璃,尤其是一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,其包括基片玻璃,所述基片玻璃为浮法玻璃,其不同之处为:自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层,第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOX,第一保护层、第二保护层均为NiCrOX,第三电介质层为TiOX,第四电介质层为Si3N4介质层,第一电介质层的膜层厚度为22nm~28nm,第二电介质层的膜层厚度为13nm~17nm。本实用新型提供一种质量可靠,具有加强型效果的可异地加工加强型高透单银低辐射镀膜玻璃,其透过率在79%以上。
搜索关键词: 一种 异地 加工 加强型 单银高透低 辐射 镀膜 玻璃
【主权项】:
一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,所用基片玻璃为浮法玻璃,其特征在于:自基片玻璃向外依次包括第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层,第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOX,第一保护层、第二保护层均为NiCrOX,第三电介质层为TiOX,第四电介质层为Si3N4介质层,第一电介质层的膜层厚度为22nm~28nm,第二电介质层的膜层厚度为13nm~17nm,第一保护层的膜层厚度为0.8nm~1.2nm,Ag层的膜层厚度为10nm~13nm,第二保护层的膜层厚度为0.8nm~1.2nm,第三电介质层的膜层厚度为74nm~76nm,第四电介质层的膜层厚度为35nm~40nm。
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