[实用新型]一种选择性发射极太阳电池硅片有效
| 申请号： | 201220075238.7 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN202601631U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 张振光;刘宏亮 | 申请（专利权）人： | 安徽东日昌新能源电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 沈志海 |
| 地址： | 242100 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极、背电极和铝背场，所述正面电极在硅片的正面，所述背电极和铝背场在硅片的背面，所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜；该种选择性发射极太阳电池硅片结构合理，可形成更好的欧姆接触，能得到更高的转换效率，更容易实现产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 太阳电池 硅片 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极太阳电池硅片，包括正面电极（1）、背电极（2）和铝背场（3），所述正面电极（1）在硅片的正面，所述背电极（2）和铝背场（3）在硅片的背面，其特征在于：所述硅片表面为金字塔状表面，所述硅片的选择性扩散面沉积一层氮化硅薄膜（4）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
