[实用新型]一种薄膜电致发光器件有效
| 申请号： | 201220069810.9 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN202503028U | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张家雨;马骏;杨伯平;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅凝胶包覆掺杂半导体量子点的薄膜电致发光器件。所述薄膜电致发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层、金属Al电极。所述发光层为SiO2凝胶包覆的掺杂半导体量子点，采用硅凝胶包覆掺杂半导体量子点制备发光层可以提高发光层的致密程度，有效增强发光层的抗击穿能力，延长薄膜电致发光器件的使用寿命，提高发光效率。同时在以硅凝胶包覆掺杂半导体量子点为发光层的薄膜电致发光器件制备中，控制发光层的厚度也变得相对容易。同时通过本方法可以实现不同发光的薄膜电致发光器件。本实用新型还提供了该器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜电致发光器件，其特征在于该发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层和金属电极层，所述发光层为SiO2凝胶包覆的掺杂半导体量子点ZnSe:Mn/ZnS薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220069810.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车载电子设备
- 下一篇：振动落砂破碎再生除尘发送组合装置
