[实用新型]一种上料双片检测装置有效
申请号: | 201220055201.8 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN202495463U | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 金德琳;卓昊男;孙支柱;蔡钟明 | 申请(专利权)人: | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01N29/04 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 裴金华 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种上料双片检测装置,包括输送轨道,以及驱动该输送轨道的驱动装置,所述输送轨道上固定设置有检测器,该检测器包括超声信号发射装置,与该超声信号发射装置相对的超声信号接收装置,以及与该超声信号接收装置相连接的警示装置。本实用新型检测精度高,基本无误判;可有效地防止双片流入后道,大大减少了返工片和碎片的产生,提高了成品率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 上料双片 检测 装置 | ||
【主权项】:
一种上料双片检测装置,包括输送轨道,以及驱动该输送轨道的驱动装置,其特征在于:所述输送轨道上固定设置有检测器,该检测器包括超声信号发射装置,与该超声信号发射装置相对的超声信号接收装置,以及与该超声信号接收装置相连接的警示装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的